氧化鎵

03-07大陸政經

中國半導體重大突破！氧化鎵率先進入8吋時代

杭州鎵仁半導體公司在半導體領域取得了重大突破，6 日宣布推出全球首顆第四代半導體氧化鎵 8 吋單晶，成為國際上首家掌握 8 英吋單晶氧化鎵單晶生長技術的企業。杭州鎵仁半導體成立於 2022 年 9 月，坐落於杭州市蕭山區，在氧化鎵單晶的研發上持續深耕，從 2022 年至 2024 年，依序成功生長出 2 吋、4 吋和 6 吋的氧化鎵單晶。