氧化鎵

07-06國際政經

為什麼氧化鎵5年就做到6吋基板、SiC卻花了15年？關鍵技術差異解析

2026年07月06日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 繼碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）之後，被視為第四代超寬能隙（Ultra-wide Bandgap）半導體材料的氧化鎵（β-Ga₂O₃），近期開始出現量產突破。中國杭州鎵仁半導體今日宣布，已建成全球首條6/8吋氧化鎵同質磊晶量產線，並開始向晶片客戶供貨；日本Novel Crystal Technology則持續推進氧化鎵基板、磊晶片及單晶技術發展，反映氧化鎵正逐步由實驗室走向商業化。