氧化鎵

08-23台股新聞

鴻海 (2317-TW) 研究院半導體所，攜手陽明交大電子所，雙方研究團隊在第四代化合物半導體的關鍵技術上取得重大突破，提高了第四代半導體氧化鎵 (Ga2O3) 在高壓、高溫應用領域的高壓耐受性能，為未來高功率電子元件開闢了新的可能性。第四代半導體氧化鎵 (Ga2O3) 因其優異的性能，被視為下一代半導體材料的代表。