良率
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谷歌 (GOOGL-US) 擬於明年下半年推出下一代 TPU 晶片 (代號 Humufish)，其封裝技術路線與供應鏈佈局正面臨關鍵考驗。知名分析師郭明錤最新披露，英特爾 (INTC-US) 為此晶片提供的 EMIB-T 先進封裝技術，目前技術驗證良率已達 90%，雖屬正向里程碑，但相較於業界量產基準的 FCBGA(良率普遍高於 98%)，從 90% 跨越至 98% 難度極高，且 Humufish 部分規格尚未定案，近中期內量產良率能否達標仍充滿變數。
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隨著台積電 (2330-TW) 先進封裝 CoWoS 產能持續吃緊，市場開始將目光轉向英特爾 (INTC-US) 的 EMIB 封裝技術。據悉，英特爾在關鍵 EMIB 製程上已達約 90% 的高良率，顯示該技術有望在新一代人工智慧（AI）資料中心晶片中扮演更重要角色。
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外媒最新報導指出，三星晶圓代工業務迎來關鍵轉折點，4 奈米製程良率近期已成功提升至 80%，標誌著正式邁入成熟量產階段。高良率不僅意味著生產成本降低與生產效率提升，更為三星爭取輝達等重量級客戶訂單奠定了堅實基礎。《首爾經濟日報》報導，業內人士周二 (28 日) 透露，由輝達支持的 AI 晶片新創公司 Groq 已向三星下單生產其專用於 AI 推理的語言處理單元(LPU)。
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韓媒最新報導指出，三星電子第六代高頻寬記憶體 (HBM4) 良率仍低於 60%，該公司打算在今年下半年將 HBM4 DRAM 良率提升至接近完美的水準，以加快對包括輝達在內的主要 AI 客戶的回應速度。《ChosunBiz》報導，三星正全力衝刺 HBM4 良率，該公司 1c DRAM 良率近期已攀升至具意義的水準，已突破 80% 的「成熟良率」門檻，但業界普遍認為，這尚難以視為已達到 HBM4 的量產良率水準。
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韓媒最新報導指出，高頻寬記憶體 (HBM) 的一大演進趨勢是堆疊層數的增加，在目前的 HBM4 世代主流堆疊層數是 12/16。JEDEC 在制定 HBM4 規範時已放寬一次堆棧高度限制，從 720μm 提升到 775μm。根據《ZDNET Korea》與《ETNEWS》報導，面對下一代堆疊可達 20 層的 HBM，行業正考慮進一步放寬高度限制至 800μm，甚至更多。
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《路透》報導，英特爾 (INTC-US) 財務長辛斯納 (David Zinsner) 周三 (5 日) 表示，執行長陳立武 (Lip-Bu Tan) 正重新評估公司 18A 先進製程的定位，開始考慮將這項技術提供給外部客戶。這一態度轉變，可能意味著英特爾在晶圓代工策略上的重要調整。
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全球晶圓代工龍頭台積電 ADR(TSM-US)周二 (24 日) 收漲 4.27% 至每股 385.75 美元，市值突破 2 兆美元大關，離 2024 年 10 月達成 1 兆美元里程碑僅間隔 16 個月。《第一財經》報導，台積電市值突破 2 兆美元標誌著全球科技產業格局的深刻變革，AI 浪潮正重塑半導體產業的價值座標。
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美光 (MU-US) 周三 (12 日) 收盤大漲近 10%，高層表示近期疑慮，表示 HBM4 晶片已經進入高量產階段，而且已向客戶出貨，比去年 12 月所估的時間表提早了一季。美光財務長 Mark Murphy 表示，有關高頻寬記憶體 (HBM) 的報導不正確，他說：「我們已經進入 HBM4 的高產量生產階段，也已開始向客戶出貨 HBM4，並看到本季 (第 1 季) 出貨量順利拉升。