DRAM
美股雷達
《CNBC》報導，美股近期漲勢集中在少數個股，紐約證交所週二 (22 日) 有 75 檔股票創下 52 週新低，創新高的僅 14 檔。不過，選擇權交易顯示，投資人仍押注那斯達克 100 指數及部分科技股續漲。週一美股漲勢強勁，部分機構造市商可能因未及時跟上行情，買進看漲選擇權。
歐亞股
南韓三星電子近期在3D DRAM研發上交出階段性成果：其16層垂直堆疊VS-DRAM(Vertically Stacked DRAM)已完成晶片級讀寫驗證，核心以「水平電容＋GAA單元電晶體＋Peri-on-Cell鍵合」重構1T1C架構，目標是把DRAM從平面微縮推進到Z軸堆疊，延續10奈米以下節點的位元密度提升。
歐亞股
針對近期市場對HBM規格下調的擔憂，摩根大通(下稱小摩)在9月更新的HBM記憶體產業研報中明確指出，即便出現降級，2026至2028年HBM比特需求複合增速仍達63%，產業始終處於供給短缺狀態，價格上行趨勢延續，記憶體類股仍具投資價值。此一判斷與上月報告中「超級週期可能延續至2028年」的框架保持一致。
歐亞股
花旗周二(22日)發布全球半導體研報提出一條新的記憶體週期敘事：AI正從「訓練完成即參數固定」的典範轉向持續學習(continual learning)，這一變化不僅抬升HBM需求，更將記憶體變成AI推理側的剛需，進而把企業級SSD(eSSD)推入高景氣區間。
台灣政經
經濟部今（23）日公布 115 年 8 月工業生產統計，受惠於人工智慧（AI）、高效能運算（HPC）及雲端資料服務等需求持續暢旺，加上消費性電子新品啟動備貨週期，8 月工業生產指數達 145.97，較上月增加 1.85%，年增 23.47%；其中製造業生產指數為 148.42，年增 24.61%。
台股新聞
根據TrendForce統計，2025年下半年受惠DRAM價格上漲及業者集中出貨帶動，全球DRAM模組市場整體營收達212億美元，年增59%，較2024年的7%大幅加速。回顧2025年的DRAM市場動態，上半年及下半年落差巨大。上半年為應對關稅政策與原廠的DDR4 EOL規劃，部分模組廠於第二季起積極建立較高的DDR4顆粒庫存水位，並供應PC OEM等消費性電子應用在關稅政策下的提前拉貨需求。
台股新聞
2026年09月22日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 台表科近年營運歷經劇烈轉型，從2024年Mini LED業務受客戶轉向OLED衝擊而衰退，到2026年成功切入AI光通訊與伺服器供應鏈，正迎來繼2019至2021年Apple Mini LED之後的第二次營運上行循環。
台股新聞
2026年09月22日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 記憶體產業自2025年下半年起進入AI驅動的結構性缺貨循環，威剛在低價庫存與合約價齊揚雙引擎下，2026年營運呈現爆發性成長。8月合併營收189.3億元，月增2.97%、年增279.81%，連續第6個月刷新單月歷史新高，前8月累計營收1,015.8億元，年增218.1%，首度突破千億元大關，上半年獲利已遠超歷年全年水準。
國際政經
美銀證券最新通路調查顯示，2026年第三季多數DRAM產品平均售價季增20%至30%，NAND漲幅也超過15%；超大規模雲端業者更已提前簽約，同意2027年第一季以高於2026年第四季的價格採購DRAM，顯示大型客戶已接受漲價預期並鎖定合約。
國際政經
國際商業戰略公司(IBS)最新預測，全球半導體市場規模將由2020年4467億美元，升至2026年約1.586兆美元、2030年2.585兆美元、2035年4.678兆美元。IBS指出，原估2030年才達1兆美元的目標被AI提前約四年實現。研調機構顧能(Gartner)亦給出相近總量，預估今年全球半導體收入1.6兆美元，較去年8090億美元增92%，其中記憶體收入約8370億美元、佔比升至54%，2027年記憶體有望破1兆美元。
歐亞股
中國DRAM大廠長鑫科技周日(20日)在合肥舉行的2026世界製造業大會上，正式發布第五代DRAM技術平台(下稱G5平台)，並同步展出基於該平台打造的大容量LPDDR5X新品，以及搭載長鑫最高速率10667Mbps的LPDDR5X記憶體的AI智能體手機「豆包手機」(努比亞NaviX Ultra)。
A股
中國主要動態隨機存取記憶體（DRAM）製造商長鑫科技(688825-CN) 週日（20日）宣布，其第五代技術平台已進入量產階段。該公司宣稱，這項突破有望協助中國在全球記憶體晶片市場，與三星電子(005930KS) 、SK海力士(000660KS) 及美光科技(MU-US) 競爭。
美股雷達
中國DRAM製造商長鑫存儲 (CXMT) 傳出準備跨足NAND快閃記憶體，可能使全球NAND市場競爭進一步升溫。不過，由於長鑫存儲若投入商業生產，初期可能以中國市場為主，受到直接衝擊的可能是中國同業長江存儲 (YMTC)，而非美光或SK海力士。
大行報告
美銀美林周四(17日)出具中國AI產業報告指出，中國AI正在從政策驅動、技術追趕轉向以商業變現為核心的生態競爭。隨著晶片、記憶體、設備與大模型差距縮小，價值鏈利潤正形成「啞鈴型」或「微笑曲線」結構。報告估算，中國AI加速器廠商去年在中國市場收入份額約50%，較2024年不足30%大幅提升，2028年料將接近80%，其中華為以35.5%在中國企業中領軍，輝達則仍以47%整體領先，但差距持續縮小。
美股雷達
隨著人工智慧（AI）應用從資料中心進一步擴展至終端裝置與機器人，美光科技(MU-US) 高層指出，記憶體已成為限制AI系統效能的核心瓶頸。由於新建晶圓廠與潔淨室需要長時間，加上記憶體製程高度複雜，產業供需失衡恐怕要到2028年後才會逐步迎來實質新增產能。
國際政經
2026年09月16日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 中國記憶體產業過去與南韓領先業者存在明顯技術差距，但隨著長江存儲(YMTC)與長鑫存儲(CXMT)持續推進製程與擴充產能，差距正在快速縮小。根據南韓半導體產業協會的評估，目前中國在NAND快閃記憶體與南韓的技術差距約剩1年，DRAM約2年，技術門檻最高的HBM則約3年，相較過去約5年的差距已明顯收斂。
美股雷達
美股光通訊族群在美股周三(16日)盤前小幅走高，Coherent、Lumentum漲超2%。此外，英特爾漲約5%，SK海力士漲約3%，因外媒引述知情人士消息最新報導指出，SK海力士正與英特爾洽談在美國生產記憶體晶片，潛在方案包括租用英特爾俄亥俄州晶片廠部分產能，或是與英特爾及大型雲端運算企業成立合資企業，相關談判仍處於探索階段，尚未做出決定。
歐亞股
3名知悉相關討論的人士透露，南韓記憶體大廠SK海力士(000660KS) 正與英特爾(INTC-US) 洽談合作，可能首度在美國生產記憶體晶片。不過，目前雙方談判仍處於探索階段，強調尚未做出任何決定，並表示SK海力士也可能考慮其他交易架構。根據《路透》報導，其中一項可能方案是，SK海力士租用英特爾位於美國俄亥俄州（Ohio）長期規畫的晶圓廠部分設施；另一方案則是SK海力士與英特爾及希望確保記憶體供應的大型雲端服務商成立合資企業。
國際政經
韓國半導體產業協會（KSIA）報告指出，目前中國與韓國在NAND快閃記憶體的技術代差約1年，DRAM約2年，HBM則仍落後約3年。其中，長江儲存積極推進400層NAND量產，長鑫儲存(688825-CN) 則已啟動HBM3E試產，但目前綜合良率僅約21%，先進製程與良率仍是追趕關鍵。
美股雷達
美光 (MU-US) 在超高密度伺服器記憶體領域取得新進展，已成功在多款伺服器平台展示全球首款512GB DDR5 RDIMM，並預計於 2027 年下半年依客戶需求投入量產。美光 (MU-US) 週二股價收漲0.39%，上漲3.57美元，收在每股927.60美元。