力晶:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I525626專利

第七條第8款

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容: 非揮發性半導體儲存裝置以及其控制方法 2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/03/11 3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$90,300 4.其他應敘明事項: 一非揮發性記憶體單元陣列被分為第一單元陣列以及第二單元陣列，頁面緩衝電 路設置於第一單元陣列以及第二單元陣列之間，且第二閂鎖電路設置於第一單元 陣列的外緣區域，且頁面緩衝電路透過第一單元陣列之總體位元線連接至上述第 二閂鎖電路。控制資料寫入至第一單元陣列或第二單元陣列係藉由在資料寫入時 ，當寫入資料被閂鎖於第二閂鎖電路中之後，透過第一單元陣列之總體位元線將 寫入資料從第二閂鎖電路傳送至頁面緩衝電路。控制從第一單元陣列或第二單元 陣列讀取的資料輸出至外部電路係藉由在資料讀取時，透過第一單元陣列之總體 位元線將資料從頁面緩衝電路傳送至第二閂鎖電路。