三星第三代V-NAND量產！耗電量降30%、生產效率高4成

MoneyDJ新聞 2015-08-11 記者 郭妍希 報導

英特爾(Intel Corp.)、美光(Micron Technology Inc.)於7月29日宣布開發出新世代記憶體技術「3D Xpoint」，讓三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd.)警鐘大作，該公司10日發布新聞稿宣布，第三代V-NAND已正式量產。

三星指出，業界首見、以48層3-bit MLC堆疊的256Gb 3DVertical NAND (V-NAND)已開始量產，可用於固態硬碟(SSD)，這款快閃記憶體的密度是傳統128Gb NAND的一倍，除了單顆晶粒就具備32 gigabytes (256 gigabits)的記憶體儲存容量外，最新晶片的儲存容量也可輕鬆到三星現有SSD產品線的一倍之多。

三星是在2014年8月推出第二代V-NAND (32層3-bit MLC V-NAND)，現在只花了短短一年後就發布第三代V-NAND，持續在3D記憶體時代保持領先地位。

最新的V-NAND內，每一個記憶體單元都運用了同樣的3D Charge Trap Flash (CTF)架構，在儲存相同的資料量之際，耗電量能比32層3-bit MLC 128Gb V-NAND節省逾30%。在生產過程方面，第三代V-NAND的生產效率比前代高出40%，可讓SSD更具成本競爭力。

三星在2015年結束前都計劃不斷生產第三代V-NAND，以便讓TB (兆位元)級的SSD加速普及。

英特爾、美光新世代記憶體技術「3D Xpoint」儲存的資料比DRAM高出十倍，讀寫速度與耐受度更是NAND型快閃記憶體的1千倍之多，如此革新的技術讓三星、SK Hynix大為緊張。

BusinessKorea 8月7日報導，3D XPoint類似次世代ReRAM或PRAM科技，能完全改變資料儲存的方式。NAND型快閃記憶體在讀取或寫入資料時，不會直接針對某個記憶體單元動作，而是會讀取一整排的單元、然後選出需要的資訊。相較之下，3D XPoint則可指定特定的記憶體單元、經由電路把資料存入，這些電路被排列成水平與垂直線，其交會點可為每一個單元創造位址。

這種技術能夠輕鬆複製三星獨家生產的3D V-NAND。英特爾指出，3D XPoint能夠建立3D架構、把記憶體單元層層堆疊，而由於這些單元是被擺在電路中間，因此的確能夠設計出一個多層架構、把單元與電路依序堆疊起來。

英特爾預計今(2015)年下半年就能將3D XPoint記憶體原型配送給企業夥伴，還打算在8月18-20日的舊金山開發者論壇(IDF)發布全新產品系列、預計採用3D Xpoint的產品將在2016年問世。BusinessKorea引述業界人士指出，三星、SK Hynix原本認為英特爾的世代記憶體最快也得等到2019年才能量產，怎知英特爾與美光的速度如此之快、讓人大吃一驚，也促使他們加快腳步投資次世代記憶體晶片。

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