安森美攜手格羅方德 開發650V GaN解決方案

安森美 (ON-US) 今 (19) 日宣布與格羅方德 (GFS-US) 攜手合作，將開發 650V 氮化鎵 (GaN) 解決方案，用於 AI 資料中心、汽車、航空航太及其他關鍵市場，預計將在 2026 年上半年開始提供客戶樣品，並快速擴大至量產規模。

安森美指出，此次合作將採用格羅方德的 8 吋增 eMode GaN-on-Silicon 製程，共同研發並製造先進 GaN 功率產品，首款產品為 650V 元件，看好雙方合作將擴充自家高壓產品群，滿足等新應用的功率需求。

安森美企業戰略高級副總裁 Dinesh Ramanathan 表示，此次合作將安森美的系統及產品專業知識，與格羅方德先進的 GaN 製程相結合，為高成長市場打造全新 650V 功率元件。這些 GaN 產品搭配矽基驅動器和控制器，將助力客戶實現創新，為 AI 資料中心、電動汽車、航太應用等場景構建更小、更高能效的功率系統。 

格羅方德首席商務官 Mike Hogan 說，安森美為關鍵合作夥伴，雙方將持續推動 GaN 半導體技術升級，滿足 AI、電氣化和可持續能源領域不斷演變的需求。

安森美將其領先業界的矽基驅動器、控制器和強化散熱封裝技術，與格羅方德的 650V GaN 技術平台相結合，打造出更高功率密度和能效的 GaN 元件。 產品應用場景具體包括 AI 資料中心電源及其 DC-DC 轉換器、電動汽車車載充電機及其 DC-DC 轉換器、微型太陽能逆變器和儲能系統，以及工業與航空航太領域的電機驅動器和 DC-DC 轉換器等。