聯電TSV技術進入量產 美商超微Radeon新產品順利推出

聯電(2303-TW)(UMC-US)今(20)日宣布，用於AMD旗艦級繪圖卡Radeon™ R9 Fury X的聯華電子矽穿孔(TSV) 技術，已經進入量產階段，此產品屬於美商超微(AMD)近期上市的Radeon™ R 300 繪圖卡系列，新產品得以順利推出。

AMD Radeon™ R9 Fury X GPU採用了聯電TSV 製程以及晶粒堆疊技術，在矽中介層上融合連結 AMD提供的HBM DRAM高頻寬記憶體及GPU，使其GPU能提供4096 位元的超強記憶體頻寬，及遠超出現今GDDR5業界標準達4倍的每瓦性能表現。

聯電市場行銷副總暨TSV技術委員會共同主席簡山傑表示：「AMD 致力於將頂尖GPU產品帶入市場，具有豐富的成功經驗。這次量產里程碑彰顯了我們與AMD在TSV技術上緊密合作下的成果，我們很榮幸能運用此技術的性能優勢，協助AMD強化其新一代GPU產品。」

AMD資深院士(senior fellow)Bryan Black表示：「從開始研發以至量產階段，聯電皆採用創新技術打造客戶產品，這是AMD選擇聯電合作矽中介層及相關 TSV 技術的關鍵因素。聯電此次順利將TSV技術運用在AMD最新的高效能GPU上，再次證明了其堅實的專業能力。」

AMD提供的GPU與HBM堆疊晶粒，皆置放於聯電TSV製程的中介層上，透過CMOS線路重佈層(redistribution layer)與先進的微凸塊(micro-bumping)技術，這些晶片之間可於中介層彼此連通，得以實現AMD Radeon™ R9 Fury X絕佳的效能與位面積。

AMD的TSV矽中介層技術，於聯電新加坡的12吋特殊技術晶圓廠Fab 12i製造生產。