聯電攜ARM 完成14奈米FinFET製程測試IC設計定案

MoneyDJ新聞 2015-06-22 16:02:01 記者 新聞中心 報導

全球晶圓專工大廠聯電(2303)今(22)日宣布，與全球IP矽智財授權廠商ARM合作，基於聯電14奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程生產的PQV測試晶片已經設計定案(tape out)，代表ARM Cortex-A系列處理器核心通過聯電高階晶圓製程驗證，此14奈米合作案延續自雙方成功將ARM Artisan實體IP整合至聯電28奈米高介電金屬閘極(High K/Metal gate)量產製程。聯電指出，14奈米FinFET製程已展現卓越的128mb SRAM產品良率，並預計於2015年底接受客戶設計定案。

聯電表示，14奈米FinFET製程技術驗證，是公司FinFET製程啟動其他IP生態系統的第一步，包括基礎IP矽智財(foundation IP)和ARM處理器實體設計。負責矽智財開發與設計支援的聯電副總經理王國雍表示，在公司準備向客戶提供14奈米FinFET製程之際，建立強大的設計支援基礎以強化14奈米平台的整體效益是至關重要；ARM是先進製程的IP矽智財全球供應商，而雙方透過這次合作已將Artisan實體IP以及Cortex處理器解決方案納入旗下14奈米製程。

ARM實體IP設計事業部總經理Will Abbey表示，ARM和聯電已在數個技術世代上持續合作，且成果卓越，隨著採用聯電14奈米FinFET製程的Cortex-A系列核心測試晶片正式設計定案，未來雙方亦將針對此高階製程技術的研發持續保持緊密合作。