〈記憶體材料受汙染〉威騰、鎧俠快閃記憶體材料遭汙染 衝擊3D NAND產能

威騰電子鎧俠快閃記憶體材料遭汙染 衝擊3D NAND產能(圖:AFP)
威騰電子鎧俠快閃記憶體材料遭汙染 衝擊3D NAND產能(圖:AFP)

威騰電子 (WDC-US) 與記憶體大廠鎧俠周三 (9 日) 表示,由於快閃記憶體原料遭到汙染,導致日本兩座記憶體廠產能出現問題。

兩家公司透過聲明表示,四日市、北上兩座廠房產能受到原料汙染影響,目前正全力恢復兩廠的正常營運。兩者並未提供損失估計以及恢復狀況。

鎧俠表示, 3D NAND Flash 是主要受影響的產品,預料傳統 2D NAND 出貨量不會受到影響。

在晶片短缺仍未緩解之際,此消息為供需緊繃的市場帶來新的挑戰,快閃記憶體是許多電子設備的重要零件之一,應用範圍涵蓋從蘋果的 iPhone 到超級電腦。

除了威騰與鎧俠外, 其他快閃記憶體供應商還包含三星電子、SK 海力士與美光 (MU-US),目前三星電子為記憶體市場龍頭。


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