SK海力士宣布:明年量產1Znm製程的16GB DDR4 DRAM

SK海力士宣布:明年量產1Znm製程的16GB DDR4 DRAM  (圖片:AFP)
SK海力士宣布:明年量產1Znm製程的16GB DDR4 DRAM (圖片:AFP)

南韓半導體大廠 SK 海力士 (000660-KR) 週一 (21 日) 宣布,推出搭載 10 奈米級製程 (1Znm) 的 16GB DDR4 DRAM,每個晶圓的總儲存容量是現有 DRAM 中最大的,海力士預計於明年開始量產。

與上一代的 1Ynm 相比,SK 海力士的 1Znm 製程讓產量得以提高了約 27%,並且也不需要非常昂貴的極紫外光 (EUV) 光刻,在成本上帶來了更高的競爭優勢,而新型的 1Znm DRAM 還支持高達 3200 Mbps 的數據傳輸速率,這是 DDR4 中最快的數據處理速度,與使用 1Ynm 8GB 的 DRAM 模組相比,這個新產品大大提升了效率,成功地將功耗降低了約 40%。

此外,SK 海力士還採用了上一代工藝製程中未使用的新材料,從而最大限度地提高了 1Znm 產品的電容。電容是電容器能儲蓄電荷的能力,是 DRAM 運作的關鍵要素,同時,該公司也引入了新設計以提高穩定性。

SK 海力士 DRAM 開發與業務負責人 Lee Jung-hoon 表示:「1Znm DDR4 DRAM 具有業界最高的密度、速率和功效,成為滿足尋求高性能 / 高密度 DRAM 的客戶不斷變化的需求的最佳產品。」

Lee Jung-hoon 說道:「SK 海力士計畫於明年將開始量產並交貨,以積極響應市場需求。」

另一方面,SK 海力士也計劃將 1Znm 工藝製程擴展到其他各項應用,例如為 5G 或 AI 手機鋪路的 LPDDR5 行動 DRAM,以及高頻寬記憶體 DRAM HBM3。


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