三星電子全球率先量産第二代10納米級DRAM

韓聯社報道，三星電子20日表示，將在全球率先量産第二代10納米級8千兆字節DDR4 DRAM。

三星電子去年2月已成功實現第一代10納米級的DRAM量産。業界評價，三星在半導體微細工藝上取得再一次騰飛。

三星電子方面介紹，第二代10納米級DRAM産品采用了超高速、超節電、超小型電路設計等最新工藝技術，較第一代10納米級速度提高10%以上，耗電量節省15%以上，生産效率提高30%。

三星電子方面表示，此次開發的技術為量産用于服務器的DDR5、用于移動終端的LPDDR5、用于超級電腦的HBM3、用于超高速圖像的GDDR6等高檔DRAM奠定基礎。三星電子計劃，通過第二代10納米級DRAM量産將DRAM量産體系全面轉變為10納米級。

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