三星砸錢投資超越台積電、英特爾投資總和

中國証券報今 (20) 日報導指出，市場調研機構 IC Insights 在 14 日發布的一份報告中預計，2017 年全球半導體設備總投資將達到約 908 億美元，而其中韓國三星電子的設備總投資達 260 億美元，占比超過兩成，該報告具體指出，三星電子 (005930-KR) 對半導體設備的投資規模高於英特爾 (INTC-US)、台積電 (2330-TW) 的投資總和，這是此前市場所沒有料到的水平。

科技新報報導，根據 IC Insights 數據， 2017 年全球半導體產業資本支出將達 908 億美元 (約新台幣 2.74 兆元)，年增 35% 。其中，南韓半導體大廠三星的資本支出翻倍成長，由 2016 年 113 億美元 (約新台幣 3403 億元)，成長至 2017 年的 260 億美元 (約新台幣 7834 億元)，為英特爾及台積電全年資本支出的總和。

而三星的 260 億美元資本支出會如何分配？IC Insights 表示，3D NAND Flash 方面，將花費 140 億美元在平澤 (Pyeongtaek) 工廠的產能擴大計畫；另外 70 億美元會用在 DRAM 製程轉移，以及填補製程轉移損失的容量消耗；晶圓代工部分，將花費 50 億美元用於提升 10 奈米製程能力。對三星擴大資本支出，IC Insights 表示，將對全球半導體產業造成影響，首當其衝的，就是 3D NAND Flash 產業。

中國証券報報導， 報告還認為，三星電子加大半導體設備投資力度或打擊亞太區其它半導體企業的投資信心，這有望讓三星電子和 SK 海力士繼續保持在半導體市場的主導地位，分析人士對此表示，從長遠來看，不排除三星電子大規模設備投資會給行業帶來負面影響。尤其是 SK 海力士 (000660-KR)、美光 (MU-US)、東芝 (6502-JP)、英特爾等也將加入競爭行列，行業競爭或日趨激烈；報告指出，如果亞太地區新生半導體企業沒有實現突破，可能將無法與三星電子等領先企業形成較為明顯的競爭格局。