〈南亞科總部落成〉製程進入20奈米 未來每年創造200億新產值

DRAM 大廠南亞科 (2408-TW) 新總部今 (1) 日正式落成，總經理李培瑛指出，新廠與設備總投資金額為 557 億元，製程將從 30 奈米轉進 20 奈米，加上原有的 30 奈米製程，總投片量將達 6.8 萬片，未來每年將可為南亞科創造 200 億元產值。

李培瑛指出，新廠投產也將創造逾 500 個就業機會，是台灣近年重大投資案，且除製程進步，新廠也將提供全方位產品線，包含 DDR3、DDR4、LPDDR4X，可滿足未來智慧汽車、智慧家庭、智慧辦公室、工業 4.0 與 AI 人工智慧等多元需求。

李培瑛表示，此次投產的 20 奈米晶圓廠 FAB 3AN，包含廠房與設備投資金額達 557 億元，加上另一棟 3A 廠房，總投資金額為 1800 億元。

他強調，新廠投產將可使南亞科開始導入 20 奈米製程，生產一系列 20 奈米製程產品，如 LPDDR4，同時南亞科可在此平台上，讓產品逐步進入 DDR5 與 DDR6，新廠將成南亞科的重要平台，也給未來南亞科發展 10 奈米製程提供一個重要基礎。

南亞科新廠位在新北市泰山南林園區新設總部及廠房，更依循我國綠建築評估系統 EEWH 規劃興建，採用低汙染、可循環利用之建材，並導入各類節能設計，包含綠化量、照明節能、空調節能、二氧化碳減量指標等，水資源與基地保水指標優於法規設計，展現綠建築設計原則。

李培瑛強調，DRAM 記憶億體是關鍵零組件，近年南亞科專注在利基市場上，是台灣一家擁有先進製程技術，也具備產品完整開發能力的 DRAM 整合元件製造公司，透過新總部落成，製程轉進 20 奈米，也為未來 10 奈米世代奠定基礎，將創造更多就業機會，延續南亞科的記憶體市場優勢。