IHS：智慧型手機內DRAM晶片容量日漸上升且規格更趨一致

根據資訊分析服務機構IHS(IHS-US)周三(26日)公布的《IHS iSuppli Market Brief》報告，預估今(2012)年出貨至全球的智慧型手機動態隨機存取記憶體(DRAM)平均數量將飆升近50%，主要係因這些先進手機的功能更加強大。

今年智慧型手機內的平均DRAM容量將擴充至666MB，高於去(2011)年的453MB和前(2010)年的202MB。

智慧型手機內的DRAM晶片平均密度目前亦正在攀升當中且正變為更加統一。在今年的智慧型手機DRAM市場裡，4Gb容量晶片市占率大約為37%，緊追在後的則為8Gb容量晶片，其市占率則是36%。

然而，明(2013)年8Gb容量晶片市占率則將達到46%，比下4Gb容量晶片的28%市占率。

16Gb容量晶片則預計會在未來數年內拿下最多市占率，顯示未來一段時間內的DRAM密度成長將持續不受干擾，但其今年市占率將僅為2%，明年會躍升至15%，明年和後(2014)年則會超過4Gb和8Gb，之後在2015年前會成為市場主流，市占率高達56%。

IHS記憶體需求預測分析師Clifford Leimbach表示：「由於智慧型手機變得更為精細，記憶體使用持續走升 - 不僅為了要滿足使用者期望與需要，也要適應更為強大的處理器與日漸精良的LCD螢幕所產生的需求。並且，當智慧型手機內記憶體已經增加時，產業亦自複雜具區別性的記憶體密度世界移往更為簡單的領域之內。」
 
報告中亦指出，智慧型手機內的DRAM密度與DRAM負荷的上升情形亦可與智慧型手機內另種類型記憶體的積極成長相媲美，亦即NAND快閃記憶體(NAND flash memory)。

一年前，智慧型手機內的NAND記憶體容量僅為1GB或是2GB，範圍極小，但根據IHS iSuppli拆解分析服務的觀察，今年則沒有任何手機採用低於16GB容量的NAND記憶體，產生了巨幅改變。