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薄膜太陽能之路 太陽能之父馬丁格林:矽薄膜是長期王道

鉅亨網記者葉小慧 宜蘭

被譽為「世界太陽能之父」的馬丁格林 (MartinGreen)博士14日在台灣宜蘭表示,碲化鎘或CIGS等薄膜太陽能長期將面臨發展瓶頸,未來薄膜太陽能將以矽薄膜為主流。

位在澳洲新南威爾斯大學的太陽能光電中心,除了以矽晶太陽能創下光電轉換效率 25%的世界紀錄,為全球、尤其是亞洲太陽能名人的搖籃,同時也有研究各式各樣的太陽能,包括薄膜在內。

馬丁格林指出,碲化鎘(CdTe)的原料屬於有毒元素,而銅銦硒化鎵(CIGS)則多屬稀有元素,以環保和清潔能源為前提,長遠將面臨發展瓶頸;至於矽薄膜(Silicon TF),由於材料矽取得容易,且相對環保安全,他認為未來也傾向往這方向發展。

馬丁格林進一步指出,目前一般熟悉的是非晶矽(aSi)薄膜或微晶矽薄膜,但他目前進行研究的是多晶薄膜 (poli-Si thin film),技術層面不太一樣,而現在矽薄膜光電轉換效率最高10-11%,他的多晶薄膜在實驗室已作到12-13%,面積相對非晶矽薄膜要更小一些。


回顧過去太陽光電研究的歷程,馬丁格林表示,確實不斷面臨許多瓶頸,除了一一克服,矽晶太陽能光電轉換效率也逐步接近理論最高值 29%,此外,如何將這些研究結果商業化,會是他努力的方向。


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