力晶：公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發CN 517096專利

符合條款：第二條第51款1.事實發生日:98/09/042.公司名稱:力晶半導體(股)公司3.與公司關係[請輸入本公司或聯屬公司]:本公司4.相互持股比例:不適用5.發生緣由:取得專利6.因應措施:不適用7.其他應敘明事項:(1) 專利商標及著作權之內容:快閃記憶體的製作方法(2) 專利商標及著作權之取得日期:98/09/04(3) 取得專利商標及著作權之成本:NT＄49,138(4) 其他應敘明事項:一種快閃記憶體的製作方法，此方法是先提供一基底，此基底上已形成有多個隔離結構，且隔離結構之間的基底上已形成有穿隧介電層與浮置閘極。移除部分隔離結構，使隔離結構的表面等於或低於基底的表面，而形成一溝渠。於基底上形成襯層。於溝渠中形成材料層，材料層之表面高於穿隧介電層之表面。以材料層為罩幕，移除部分襯層而至少於穿隧介電層之側壁上形成間隙壁。移除材料層，並於基底上形成閘間介電層。於閘間介電層上形成導體層。