NAND新製程 讀寫已跨入1Gbps世代

《工商時報》報導，NAND快閃記憶體今年主流製程將轉進40奈米以下世代，晶片讀寫速度已跨入1Gbps世代，包括三星、東芝、英特爾等業者，將在今年美國消費性電子展(CES)中宣示跨入USB 3.0世代。至於終端記憶卡的讀寫速度理論值，也已拉高至800Mbps以上。