南科、華亞科明年下半年量產40奈米 資本支出大增至640億元

南科(2408-TW)、華亞科(3474-TW)堆疊式製程轉換順利，南科10月中旬已完全以68奈米製程生產，50奈米製程在本季成功試產，預計明年第 1季正式量產，整體進度已較第 2季法說公布規畫提前，40奈米量產也由原先2012年提前至明年下半年，明年資本支出預計大增至新台幣 640億元。

南科副總白培霖表示，南科堆疊式製程轉換順利，10月上旬完全結束在自有12吋廠溝槽式投片，10月中起全數以68奈米堆疊式製程生產；同時，第一批50奈米製程也在本季試產成功，預計明年第 2季南科12吋廠產能全數轉換至50奈米製程。

製程轉換至50奈米後，南科預估，良晶粒成本相較70奈米可降低 50%。南科原先就規畫以50奈米完全量產DDR3，白培霖指出，DRAM市場需求持續強勁，加上DDR2和DDR3世代交替，預估DDR3在明年第 1季後成為市場主流，因此今年底50奈米比重將由原先規劃的 30%提高為40%，明年第 1季比重將增至50%。

40奈米進度也大步提前，白培霖和華亞科總經理高啟全共同表示，南科和美光(Micron；MU-US) 共同研發的40奈米已進入最後完成階段，南科、華亞科預計明年上半年開始試產，明年下半年開始量產，屆時每顆晶粒成本將較50奈米再降低 30%。

因製程進度加速提升，南科、華亞科明年資本支出預期較今年大幅增加。南科今年全年資本支出預估為 130億元，華亞科約 127-137億元，明年度資本支出分別將提升至190億元和450億元，總和資本支出由 227億元水準大幅提高到 640億元，最大增幅 1.8倍。

南科年底將辦理上限 8億股現金增資，每股發行價格暫訂為16元，預計募集總金額128億元，另外規劃180億元聯貸案，也將於今年11月完成。華亞科也擬定辦理聯貸和增資等計畫，預估今年底聯貸逾 200億元。