台積電攜手瑞薩 合作開發28奈米自動駕駛車MCU產品

台積電 (2330-TW) 今 (1) 日與瑞薩 (6723-JP) 共同宣佈，雙方合作開發 28 奈米嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 製程技術，以生產支援新世代環保汽車與自動駕駛車的微控制器(MCU)，採用此全新 28 奈米製程技術生產的車用 MCU，預計 2017 年開始提供樣品，2020 年開始量產。

台積電指出，與瑞薩自 90 奈米技術世代開始便密切合作開發內建快閃記憶體的 MCU 產品，為使未來環保汽車與自動駕駛車更具節能效益且更可靠，雙方在合作 40 奈米 MCU 平台與生產 4 年後，擴大合作至 28 奈米 MCU 的開發。

台積電表示，透過此次合作，瑞薩具備高可靠性及高速優勢的金屬氧化氮氧化矽 (MONOS)eFlash 技術，將結合台積電高效能、低功耗 28 奈米高介電層金屬閘製程技術，生產全球頂尖的車用 MCU 產品，以支援廣泛的應用，如自動駕駛車的感測器控制、電子控制單元 (ECU) 之間的協調控制、環保汽車的高效率燃油引擎控制、以及電動車的高效率馬達變頻器控制。

台積電強調，為滿足未來自動駕駛車對於高效能與安全性的嚴格要求，新世代 MCU 利用 3D 雷達監測車輛四周環境，以實現高精度感測功能，同時可整合多個感測器的資料，並且具備自動駕駛操作時所需的即時判斷處理能力；能安全控制自動駕駛功能的 ECU 也需要新世代的 MCU 快速處理複雜的控制任務 (包括失效穩定運作能力、安全性、以及對多個 ECU 之間協調控制的支援)，提高整體系統的能源效率及功能安全性。

同時為符合更嚴格的排放法規，新世代環保汽車的引擎還需要強大的運算效能來運作新的燃油系統，也需要強大且大容量的內建快閃記憶體來容納更大的韌體程式，由於市場對環保的要求越來越高，對電動車 (EV) 與充電式油電混合車 (PHV) 也要求具備更長的行駛距離，因而創造對更高運算效能及功能整合度 MCU 的需求；大容量快閃記憶體也不可或缺，能更精確地支援各國環境法規與標準，並得以透過空中傳輸 (OTA) 的方式無線更新控制程式。

此外，具備優異效能與絕佳安全性的 MCU 嵌入式快閃記憶體技術對於打造安全社會的新世代控制技術來說也是必須的，適用領域包括工業 4.0 等工業領域以及社會基礎建設領域。

台積電表示，透過此合作所開發的 28 奈米 eFlash 製程技術，MCU 的程式記憶體容量最高將可比目前的 40 奈米技術多出 4 倍以上，效能也將提升超過 4 倍，符合新世代車用運算的需求，此全新 MCU 產品的其他強化特點還包括了使用多 CPU 核心、更先進的安全性，並且支援多種介面標準。