美光3D NAND將殺到！打破三星獨霸、大戰一觸即發

MoneyDJ新聞 2016-08-10  記者 陳苓 報導

記憶體的3D NAND flash大戰即將開打！目前3D NAND由三星電子獨家量產，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營，如今美光(Micron)也宣布研發出3D NAND，而且已經送樣，三星一家獨大的情況將畫下句點。

TechRadar、ComputerWorld報導，美光9日宣布開發出該公司第一款3D NAND晶片，採48層堆疊，容量為32GB。這款3D NAND將用於中高階智慧機，支援全新的儲存標準UFS2.1。

美光宣稱，新品效能比前代提升40%，尺寸更是業界最小，美光的3D NAND晶粒(die)比相同效能的平面NAND晶粒，體積縮小30%。新品已送樣給行動裝置廠，預定今年底廣泛出貨。

美光行動業務部門發言人Dan Bingham說，該公司第二代3D NAND將為64層，研發時程尚未公布。為了支援虛擬實境和串流影片需求，行動裝置的記憶體容量不斷增加，美光預估，2020年智慧機的內建記憶體或許會有1TB，和電腦差不多。

巴倫(Barronˋs)9日刊出Pacific Crest報告，內容預測3D NAND時代將要到來。報告稱，英特爾、美光、SK海力士(SK Hynix)、東芝、Western Digital的3D NAND應該很快就會上市。估計第3、4季3D NAND產品將會大增。英特爾和美光的產品已經差不多就緒，東芝和SK海力士則可能在Q4出貨。

Pacific Crest認為，3D NAND戰役中，美光情勢有利。該公司的3D NAND儘管層數較少，但是密度高，而且美光無可損失。

南韓三星電子為全球第一家量產3D架構NAND型快閃記憶體(Flash Memory)的廠商，不過NAND Flash最大競爭對手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布領先全球同業、研發出堆疊64層的3D Flash產品，且進行送樣。

東芝7月27日新聞稿宣布，已研發出64層的3D Flash製程技術，並自今日起領先全球同業開始進行樣品出貨，且預計將透過甫於7月完工的四日市工廠「新第2廠房」進行生產。

競爭對手急起直追，三星電子冒冷汗，將豪擲17兆韓圜(150億美元)，研發3D NAND flash和OLED，鞏固領先優勢。

南韓先驅報7月29日報導，三星電子今年下半還有17.2兆韓圜的研發經費，這筆錢會用在哪邊？三星高層Lee Myung-jin給出方向，聲稱由於需求飆升，今年將專注於3D NAND和OLED面板。三星是頭一個開發出3D NAND flash業者，目前仍是唯一有能力量產48層3D NAND flash的業者，為防對手搶單，今年三星將在南韓京畿道工廠增加更多產線。

＊編者按：本文僅供參考之用，並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦，讀者務請運用個人獨立思考能力，自行作出投資決定，如因相關建議招致損失，概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。