Intel/美光聯軍兵臨城下、三星3D NAND恐痛失霸主地位

MoneyDJ新聞 2016-06-01  記者 陳苓 報導

前有埋伏、後有追兵，三星電子3D NAND flash的霸主寶座即將拱手讓人？據了解，美光(Micron)和英特爾(Intel)聯手研發3D NAND進展神速，可能今年底就會一腳踢開三星，登上王座。

韓媒BusinessKorea 1日報導，研調機構DRAMeXchange報告稱，美光和英特爾的新加坡合資工廠，今年第一季已經開始量產3D NAND flash，目前每月產量為3,000片，預料年內可拉升至每月4萬片。

與此同時，英特爾大連廠也將在今年底產能全開，屆時兩家美廠的3D NAND產能將壓倒三星。三星3D NAND每月產能約在2萬~4萬片之間，約佔三星總體NAND產能的9~18%。

DRAMeXchange說法吻合業界分析，也就是美光/英特爾3D NAND技術的穩定速度快於預期。三星勁敵不只美廠，日廠東芝(Toshiba)和韓廠SK海力士(SK Hynix)也來勢洶洶。SK海力士的3D NAND已於Q2出貨，下半年將積極增產，計畫從當前的每月2千片、Q4增至每月2萬片。

專家指出，儘管三星3D NAND技術領先對手3年，各方增產之下，技術差距已毫無意義，明年3D NAND擴產大戰將更加白熱化，三星可能不會增建產線，以提高生產力為主，應對戰局。

美光5月31日終場跳漲了3.33%、收12.72美元，平1月12日以來收盤新高，股價帶量衝過頸線；以收盤價計算，過去9個交易日共計狂漲了31.54%，從月KD已在4月低檔黃金交叉來看，過去半年來美光股價也有底部成形的味道。

barron`s.com報導，R.W. Baird分析師Tristan Gerra 5月31日發表研究報告指出，三星電子可能會在今年下半年把一大部分的DRAM產能轉移到NAND型快閃記憶體，同時將18奈米製程產能初步拉高。

紅色供應鏈來勢洶洶，外界原本認為，陸廠要到四五年後才能在記憶體搶下一席之地，不過有分析師預測，陸廠研發腳步迅速，可能2018年就能量產3D NAND。

巴倫(Barronˋs)6日報導，美系外資晶片設備分析師Atif Malik稱，中國透過Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術授權。2月份，Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發和交叉授權協定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate)的NAND IP。Malik表示，他們相信2017年底就能取得48層3D NAND的驗證，2018年進行量產。

BusinessKorea 1月15日報導，英特爾大連廠將在今年下半生產3D NAND。大連廠設備老舊，英特爾將砸55億美元升級產能，盼量產3D NAND和Xpoint。明年東芝和英特爾的3D NAND產能可能是三星西安廠的2~3倍，將威脅三星的霸者地位。

3D NAND用途廣泛，可用於伺服器、SSD、SD卡、智慧機、平板、筆電等。

＊編者按：本文僅供參考之用，並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦，讀者務請運用個人獨立思考能力，自行作出投資決定，如因相關建議招致損失，概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。