美國設廠
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南韓半導體大廠SK海力士(SKHY-US)周四(27日)宣布,將於2029年第三季在美國印第安那州新廠開始量產次世代高頻寬記憶體HBM4E晶片。與此同時,SK海力士執行長郭魯正(Kwak Noh-Jung)警告,目前的記憶體短缺現象預計將持續到2030年。
2026-08-28
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南韓半導體大廠SK海力士(SKHY-US)周四(27日)宣布,將於2029年第三季在美國印第安那州新廠開始量產次世代高頻寬記憶體HBM4E晶片。與此同時,SK海力士執行長郭魯正(Kwak Noh-Jung)警告,目前的記憶體短缺現象預計將持續到2030年。