HBF

11-11科技

互補還是取代？HBM之父：HBM是「速度擔當」HBF是容量王者 兩者是「黃金組合」

被譽為「高頻寬記憶體 (HBM) 之父」的南韓科學技術院教授金正浩最新表示，AI 時代的權力平衡正從 GPU 轉向記憶體，他的判斷正隨著高頻寬快閃記憶體 (HBF) 的技術突破，加速照進了現實。金正浩近日在 YouTube 節目中拋出上述震驚業界的觀點，HBF 是結合 3D NAND Flash 高密度與 HBM 特性的創新儲存技術，其核心架構類似 HBM 的 8-16 層垂直堆疊設計，但以 NAND Flash 替代 DRAM，透過矽通孔 (TSV) 與微凸點技術連接各層，將邏輯晶片與記憶體陣列鍵合，支持並行訪問多個 NAND 子陣列，大幅提升帶寬與吞吐量。