堆疊
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美國科技媒體《The Information》週一(8月31日)報導指出，長鑫存儲(CXMT)已經啟動HBM3E記憶體的風險試產工作。該記憶體廠商目前計畫擴大產能，預計到今年底DRAM產能將達到每月35萬片晶圓，未來幾年產能也將持續提高。目前還不清楚長鑫存儲HBM3E的具體規格，但根據JEDEC規範，HBM3E應採用1024-bit位元寬，單腳速率介於9.2Gbps至 12.4Gbps之間，大多數標準配置的目標速率為9.6Gbps。
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在近日舉行的 Hot Chips 技術大會上，三星DRAM設計團隊的Sangwook Han正式揭露三星HBM演進的三階段路線圖，終點是一種名為zHBM的全新架構，也就是將DRAM直接垂直堆疊在GPU、TPU等運算晶片之上，徹底取消2.5D中介層。
美股雷達
英特爾執行長陳立武近期在一場公開對話中表示，該公司正著手研究「新型記憶體架構」，且已經從SK海力士挖角曾任該公司高管的Shil Lee加盟，加碼記憶體技術佈局。他並笑稱，外界「應該能猜到方向」，但細節暫不公開。在一場播客節目上談到伺服器與資料中心業務時，陳立武坦承「這些年犯了不少錯誤」，但強調英特爾已重新引進頂尖CPU、GPU及系統架構師，同時擴充軟體團隊，目標是在下一輪算力週期中重奪主導地位。
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人工智慧（AI）算力需求爆發正推動記憶體產業迎來結構性轉變。隨著 DRAM 與 NAND 微縮逼近物理極限，三星電子 (KR005930) 、SK 海力士 (000660KS) 與鎧俠紛紛轉向 3D 堆疊、混合鍵合等新技術，顯示未來記憶體競爭將從「製程微縮」轉向「晶片堆疊與先進封裝」之戰，掌握奈米級鍵合技術者，將成為 AI 記憶體新時代的關鍵贏家。
台股新聞
力積電 (6770-TW) 董事長黃崇仁今 (14) 日表示，公司投入 Wafer-on-Wafer (WoW) 技術已超過六年，目前 8 層 WoW 產品良率已突破 92%，並完成國際先進封裝客戶驗證，是全球少數具備多層 WoW 量產能力的業者，看好隨著 AI 晶片朝高頻寬、低功耗及高整合度發展，WoW 有望成為下一世代先進封裝的重要技術。