三星3奈米GAA架構晶片正式開始出貨

三星舉行3奈米GAA架構晶片出廠儀式  (圖片:AFP)
三星舉行3奈米GAA架構晶片出廠儀式 (圖片:AFP)

三星電子周一 (24 日) 在韓國京畿道華城廠區內的極紫外光 (EUV) 專用 V1 生產線,為該公司利用新一代環繞閘極 (GAA) 架構技術生產的 3 奈米晶片產品舉辦出廠活動。三星沒有提到誰是 3 奈米晶片首家客戶,還有目前良率也令人好奇。

據《韓聯社》周一報導,該場紀念活動共有上百名相關人士出席,其中包括韓國產業通商資源部長官李昌洋、三星電子半導體事業暨裝置解決方案 (Device Solutions,DS) 本部長慶桂顯,以及該公司的員工及合作廠商等。

三星電子在上個月底宣布,該公司首款基於 GAA 架構技術的 3 奈米晶片已正式投入量產。目前全球的晶片生產,3 奈米製程是最先進的技術,台積電 (2330-TW)、英特爾 (INTC-US) 都投入全力研發,而三星電子則是在這場競爭當中率先推出該技術。

三星電子所採用的 GAA 技術,和以往使用的鰭式場效電晶體 (FinFET) 相比,有面積更小、能耗減少和性能提升等優點,技術層面的意義重大。

三星電子在 2000 年代初期投入 GAA 技術研究,並於 2017 年應用在 3 奈米製程,日前投入量產。

三星電子晶圓代工事業部在周一表示,他們將以創新技術邁向全球頂峰。而李昌洋則在致詞感謝三星公司相關員工們的付出,也強調須確保業界力量,致力提升 3 奈米製程良率;此外,李昌洋也承諾,基於韓國政府日前所公布的半導體強國發展戰略,在半導體生態系統的建構上會提供全面性的支援。

三星的 3 奈米晶片產品將運用在高效能運算 (HPC),也打算與主要合作廠商共同推展至系統單晶片 (SoC) 等產品群。

而在華城之後,三星也計畫在平澤廠區運用 GAA 技術來進行 3 奈米晶片量產。


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