三星3奈米GAA達關鍵里程碑!

三星3奈米GAA達關鍵里程碑!(圖片:AFP)
三星3奈米GAA達關鍵里程碑!(圖片:AFP)

三星電子宣布,3 奈米 GAA 成功設計定案 (Tapeout),意味著離量產又邁出了一步。

新思科技 (Synopsys) 宣布,複雜的多系統晶片系統已成功設計定案 (Tapeout),加速其為三星 3 奈米 GAA 工藝技術的認證。

Tapeout 為新思科技和三星合作完成,雙方聯合驗證了此製程的設計、生產流程,為 3 奈米 GAA 技術的關鍵里程碑,意味著距離量產又近了一步。

三星電子代工設計技術團隊副總裁 Sangyun Kim 表示:「三星代工是推動下一階段行業創新的核心,我們持續基於工藝製程技術進展,以滿足專業和廣泛市場應用的需求… 最新的、先進的 3 奈米 GAA 工藝受惠於與新思科技的廣泛合作,以及 Fusion Design Platform 的加速準備以實現 3 奈米工藝的承諾,證明關鍵聯盟的重要性和優勢。」

三星的 3 奈米製程採用全新 GAA (環繞閘極) 架構,使其能夠對晶片核心的電晶體進行重新設計和改造,改進了靜電特性,使其更小、更快,並降低功耗。

三星以 1160 億美元投資旗下晶圓代工業務後,去年底三星預計,3 奈米晶片將於 2022 年正式量產,以趕上晶圓代工龍頭台積電進度,搶食蘋果、超微等先進製程代工大單。

台積電此前稱,採用 FinFET  架構的 3 奈米製程按計畫於 2022 下半年正式量產,目前仍領先三星。

週二 (29 日) 美股早盤截稿前,台北時間週二晚間 11 時 58 分許, 新思科技 (SNPS-US) 微漲 0.040%,暫報每股 274.14 美元。台積電 ADR (TSM-US) 微漲 0.03%,暫報每股 119.64 美元


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