南科與美光共推銅製程42奈米DRAM製程技術 下半年量產

南科(2408-TW)和合作夥伴美光(Micron；MU-US)今(9)日宣布推出最新42奈米DRAM製程技術，這項技術由雙方共同研發，並採用銅製程，主要生產2GB DDR3記憶體顆粒，預計今年第2季送樣，下半年開始量產。

南科指出，採用銅製程全新42奈米DRAM製程技術生產的2GB DDR3記憶體顆粒，將提供低耗電、高效能、較大記憶體容量及更小的顆粒尺寸，目前已成為運用於高效電腦領域包括伺服器、筆記型電腦及桌上型的主流DRAM。

南科指出，微縮製程技術是降低生產成本的重要方式，並可提供客戶多項效益，包括低耗電、高效能、較大記憶體容量及更小晶片尺寸。這次推出的最新42 奈米2Gb DDR3 記憶體顆粒，僅需1.35伏特的電壓即可，低於標準DDR3的1.5伏特，也低於之前的產品。

南科進一步指出，目前伺服器環境所耗用的電力及冷卻成本，與伺服器的硬體成本相當，而隨著伺服器對記憶體的需求增加，每條記憶體模組的耗電量最多將可能達21瓦。在伺服器應用上若僅需1.35伏特的電壓，記憶體模組的耗電量將可減少達30%，有效降低電力及冷卻系統的成本。

此外，提高記憶體運作速度，才能將系統效能表現達到最高極致。南科表示，藉由微縮製程技術的研發，這顆42奈米2Gb DDR3 晶片可提供高達每秒1866Mb的傳輸速率。另外，42奈米2Gb DDR3顆粒的記憶體本身容量較高，將可使記憶體模組的容量進一步提高至16GB。

此外，這次推出的42奈米採用了美光的銅製程。美光表示，銅製程的延展性及可靠性均優於鋁製程，在更微縮的製程上，銅製程更具成本競爭力。而隨著42奈米的推出，南科和美光將繼續共同研發3X奈米製程技術，仍將沿用銅製程技術，以提供高品質和高可靠度的產品。