【今時財經】華虹半導體: 擁先進Super Junction工藝平台 - 提供更低耗、更高效、更小巧綠色芯製造平台

華虹擁先進Super Junction工藝平台提供更低耗、更高效、更小巧綠色芯製造平台[香港訊，2014年11月4日] 華虹半導體有限公司（「華虹」或「公司」，連同其附屬公司，統稱「集團」，股份代號：1347） 擁有業界一流的的溝槽型600V-700V Super Junction (超級結結構) MOSFET (SJNFET) 工藝平台，可為日益增長的移動終端、4G網路、雲計算和LED照明等熱點應用，提供更低功耗，更高效率，更小尺寸的綠色芯製造平台。

隨著移動互聯網、綠色能源技術的發展，以及全球節能減排的趨勢，產品應用對電源系統提出更高的效率要求。

作為開關電源，充電器/適配器，不間斷電源和LED驅動等電源系統整流的核心器件，功率半導體是降低功耗、提高效率的關鍵。

革命性的超級結結構器件應運而生，打破了傳統MOSFET器件的「矽極限」（導通電阻正比於擊穿電壓的2.4~2.6次方），在同樣的封裝條件下能夠實現更低的導通阻抗和更快的開關頻率。

目前，這一技術主要由少數幾個國際產品大廠所掌握，華虹作為專業的200mm純晶圓代工廠，创新性地推出了先進的SJNFET工藝平台，可以為廣大客戶提供業界一流的SJNFET產品製造服務。

憑藉10多年的功率器件技術優勢，華虹於2010年突破了深溝槽刻蝕填充工藝的世界級難題，推出了獨特的具有自主智慧財產權的溝槽型SJNFET工藝平台，可以支援500V~900V不同電壓等級的產品生產。

與傳統的多層外延型SJNFET工藝相比，溝槽型結構具有光刻層次少、結構簡單、高溫特性好、製造週期短和效能提升潛力大等優點。

同時，華虹在北美有超過10個，中國內地超過100個的SJNFET相關專利授權，可以為客戶提供平台化代工服務，極大地縮短客戶產品time-to-market的時間。

多家客戶基於華虹平台設計的SJNFET產品展現出優異效能，並於2011年實現量產。

在此基礎上，華虹於2012年底又成功推出第二代SJNFET工藝平台，與第一代產品相比導通電阻降低了30% (單位面積導通電阻1.8 ohm.mm2)，達到業界一流水準，並且擁有更快的開關速度、更低的開關損耗、更小的晶片面積、更強的短路耐量和抗電磁干擾能力。

到目前為止，華虹SJNFET工藝平台已有全球合作夥伴超過20家，工藝良率穩定在98%以上，為業界一線終端廠商提供可靠的高壓功率晶片。

截至2014年八月，公司SJNFET平台出貨量已超過4萬片。

華虹將繼續發揮自身工藝和研發優勢，拟推出世界領先的第三代SJNFET工藝平台，進一步鞏固公司於功率分立器件領域的領先地位，協助客戶推出更具競爭力的產品，持續為世界製造綠色芯。

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