晶片尺寸放大

09-27台股新聞

晶片太熱又怕變形！先進封裝掀三年大擴產潮，「散熱與防翹曲」設備身價暴漲

當 AI 晶片功耗衝破千瓦大關，晶片過熱與高溫變形已成運算極限的最大罩門！在摩爾定律放緩下，先進封裝大擴產躍升為唯一解方，隨著製程難度倍增，專攻散熱與防翹曲的關鍵設備迎來身價翻倍與站點暴增的黃金上升期。〈晶片尺寸與功耗飆升，CoPoS與SoIC引領革新〉次世代晶片呈現尺寸持續放大、功耗(TDP)世代倍增，以及透過3D垂直堆疊縮短互連距離三大趨勢，為解決大尺寸晶圓面積利用率僅45%的限制，台積電推動將載體轉為方形面板的CoPoS架構，預計於2028年放量並將面積效率提升至81%，晶片設計加速導入SoIC垂直堆疊與混合鍵合技術，以極高互連密度與更低能耗，確立為次世代旗艦平台的主流配置。