推疊

10-24美股雷達

美光下一代AI記憶體突破面臨散熱難題！vHBM瞄準2028年量產、頻寬升級成關鍵

美光科技(MU-US) 正開發新一代垂直高頻寬記憶體（vHBM），計畫將DRAM直接堆疊在處理器上方，縮短記憶體與運算單元之間的資料傳輸距離，進一步提升頻寬，以滿足人工智慧（AI）推論工作負載對效能與容量日益增加的需求。不過，這項架構也帶來新的散熱難題，可能影響未來的導入規模。

08-23美股雷達

SemiAnalysis：NAND製造正「由鎢轉鉬」！「這些企業」有望受惠

3D NAND快閃記憶體持續向更高堆疊層數邁進，製程材料也迎來關鍵轉變。半導體產業研究機構SemiAnalysis 週日（23日）在X平台發布文章指出，當3D NAND堆疊層數突破約300層後，傳統以鎢（Tungsten，W）製作的字線（word line）逐漸面臨物理與製程限制，鉬（Molybdenum，Mo）可能成為高層數NAND不可避免的材料選擇。