基礎裸晶

09-16歐亞股

三星不再全押自家晶圓代工 HBM基礎裸晶傳採台積電製程

三星電子(005930KS) 的高頻寬記憶體（HBM）基礎裸晶供應策略迎來調整。業界傳出，三星在客製化HBM時代，將擺脫過去完全依賴內部晶圓代工的模式，改採三星晶圓代工與台積電(2330-TW) (TSM-US) 製程並行的「雙軌」策略，以提高供應鏈彈性並滿足不同客戶需求。

07-27歐亞股

邏輯性能再增強！三星確認HBM5將採2奈米基礎裸晶 效能較HBM4E大增50%

南韓三星半導體今 (27) 日發布最新人物專訪，進一步揭露下一代 HBM 技術藍圖。三星電子晶圓代工業務技術開發負責人具滋焄 (音譯) 在專訪中明確表示，該公司打算在 HBM5 世代導入 2 奈米製程打造基礎裸晶 (Base Die)，此舉旨在同時突破性能與能效瓶頸。