基底晶片
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根據南韓《商業周刊》報導,三星正考慮在第七代高頻寬記憶體 HBM4E 的基底晶片中導入 2 奈米製程。根據報導,三星近期才剛完成業界首款商用 HBM4 的量產,同時也正著手對 HBM4E 的供電架構進行重新設計,以因應在相同封裝面積內,電源凸點從 13682 個增加到 14457 個所帶來的壓力。
2026-03-15
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根據南韓《商業周刊》報導,三星正考慮在第七代高頻寬記憶體 HBM4E 的基底晶片中導入 2 奈米製程。根據報導,三星近期才剛完成業界首款商用 HBM4 的量產,同時也正著手對 HBM4E 的供電架構進行重新設計,以因應在相同封裝面積內,電源凸點從 13682 個增加到 14457 個所帶來的壓力。