鉬

06-11歐亞股

今年內量產！SK海力士V10 NAND採375層堆疊設計 「鉬取代鎢」有望助力性能提升

全球 NAND Flash 技術競賽再掀新高潮，外電最新報導指出，SK 海力士已完成下一代 V10 系列 375 層 3D NAND 閃存生產驗證，正推進產線轉換，目標 2026 年透過現有工廠升級實現大規模量產，挑戰三星電子在超高堆疊技術的領先地位。