矽穿孔

07-27歐亞股

邏輯性能再增強！三星確認HBM5將採2奈米基礎裸晶 效能較HBM4E大增50%

南韓三星半導體今 (27) 日發布最新人物專訪，進一步揭露下一代 HBM 技術藍圖。三星電子晶圓代工業務技術開發負責人具滋焄 (音譯) 在專訪中明確表示，該公司打算在 HBM5 世代導入 2 奈米製程打造基礎裸晶 (Base Die)，此舉旨在同時突破性能與能效瓶頸。

07-03美股雷達

SemiAnalysis：谷歌下一代TPU棄用台積電CoWoS 轉投英特爾EMIB-T封裝

根據知名半導體研究機構 SemiAnalysis 最新報告，谷歌下一代自研張量處理單片 (TPU)、代號「Humufish」，將捨棄歷代採用的台積電 CoWoS 先進封裝，改採英特爾最新 EMIB-T 2.5D 先級封裝技術，成為英特爾先進封裝拿下指標性超大規模雲端客戶的重要突破。