zHBM

09-02歐亞股

三星端AI記憶體新藍圖！HBM5性能翻倍、zHBM狂飆8倍

三星電子在 SEMICON Taiwan 2026 期間公布新一代高頻寬記憶體（HBM）與下一世代儲存架構布局，從 HBM5、zHBM 到 zNAND-O，涵蓋高頻寬、高容量、低功耗與散熱等方向，顯示三星正加速布局AI基礎設施所需的下一代記憶體技術。

08-24歐亞股

三星拋出HBM三階段路線圖：從「騰空間」到3D zHBM消滅中介層 終極架構將降功耗70%、頻寬飆230%

在近日舉行的 Hot Chips 技術大會上，三星DRAM設計團隊的Sangwook Han正式揭露三星HBM演進的三階段路線圖，終點是一種名為zHBM​的全新架構，也就是將DRAM直接垂直堆疊在GPU、TPU等運算晶片之上，徹底取消2.5D中介層。

08-05美股雷達

三星FMS亮劍：公布全新3D記憶體路線圖 zHBM性能喊話達HBM5八倍 力爭在AI技術領域領跑

三星電子在美國聖克拉拉舉行的 FMS 峰會上一口氣發布 zHBM、zNAND-O 兩款概念產品，以及業界首款堆疊超 400 層的 V10 BV-NAND，正面迎戰 SK 海力士與美光，試圖在 AI 時代重奪記憶體話語權。zHBM 最受矚目，徹底顛覆現行 2.5D 封裝架構，不再將 HBM 與 AI 晶片並排於矽中介層上，而是直接垂直堆疊在加速器上方。