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10-29美股雷達

英飛凌砸11億歐元打造全球首座12吋GaN量產基地 2027年底投產

德國功率半導體大廠英飛凌 (Infineon Technologies) (IFNNY-US) 10月27日宣布，將在奧地利菲拉赫 (Villach) 廠區打造全球首座採用300毫米(12吋)晶圓、用於氮化鎵(GaN)功率半導體大規模生產的製造基地，計畫至2034年累計投入約11億歐元，約合12.3億美元。