LPP

08-11美股雷達

馬斯克挑戰ASML EUV獨霸地位？TeraFab傳擬改用FEL光源造晶片

特斯拉 (TSLA-US) 執行長馬斯克旗下傳出籌備中的晶圓廠計畫「TeraFab」，可能捨棄艾司摩爾 (ASML-US) 獨家壟斷的極紫外光（EUV）雷射誘發電漿（LPP）光源技術，改採自由電子雷射（FEL）路線產生曝光所需的短波長光源。若消息屬實，這將是半導體先進製程數十年來最核心的光源技術首度出現挑戰者，牽動的不只是艾司摩爾的市場地位，更可能改寫晶圓代工業長期倚賴單一供應商的產業結構。

07-16國際政經

ASML首遭中國技術挑戰！繞道LDP技術點亮國產EUV原型機！外媒：進展超許多西方專家預期

印度國際新聞頻道《WION》週二 (14 日) 引述消息人士獨家報導指出，中國已在深圳一處高度機密的設施內，成功搭建完全國產化的極紫外光 (EUV) 光刻機原型機，這是自 1990 年代艾司摩爾投入 EUV 研發以來，首次有外部力量獨立實現 EUV 光源產生與整機系統集成，全球半導體產業長期由西方技術壟斷的局面遭遇永久性改寫的臨界點。