3D
歐亞股
南韓三星電子近期在3D DRAM研發上交出階段性成果：其16層垂直堆疊VS-DRAM(Vertically Stacked DRAM)已完成晶片級讀寫驗證，核心以「水平電容＋GAA單元電晶體＋Peri-on-Cell鍵合」重構1T1C架構，目標是把DRAM從平面微縮推進到Z軸堆疊，延續10奈米以下節點的位元密度提升。
歐亞股
記憶體競爭的基準，正從容量與速度轉向系統設計能力，南韓SK海力士週二(8日)在利川園區舉行「2026 SK海力士未來論壇」上提出「全堆疊AI記憶體」戰略，社長郭魯正強調需將視角由內向外轉換，站在客戶與合作夥伴角度審視事物，在AI生態變革中發掘新可能性。
A股
中國半導體設備商北方華創(002371-CN) 近日公布最新研究成果，聲稱已開發出一種用於製造3D DRAM晶片的兩步驟蝕刻製程。若這項技術進一步應用於記憶體製造，可能有助中國記憶體大廠長鑫科技(688825-CN) 推進3D DRAM與垂直製造，破解極紫外（EUV）曝光機制裁限制。
美股雷達
3D NAND快閃記憶體持續向更高堆疊層數邁進，製程材料也迎來關鍵轉變。半導體產業研究機構SemiAnalysis 週日（23日）在X平台發布文章指出，當3D NAND堆疊層數突破約300層後，傳統以鎢（Tungsten，W）製作的字線（word line）逐漸面臨物理與製程限制，鉬（Molybdenum，Mo）可能成為高層數NAND不可避免的材料選擇。
歐亞股
人工智慧（AI）算力需求爆發正推動記憶體產業迎來結構性轉變。隨著 DRAM 與 NAND 微縮逼近物理極限，三星電子 (KR005930) 、SK 海力士 (000660KS) 與鎧俠紛紛轉向 3D 堆疊、混合鍵合等新技術，顯示未來記憶體競爭將從「製程微縮」轉向「晶片堆疊與先進封裝」之戰，掌握奈米級鍵合技術者，將成為 AI 記憶體新時代的關鍵贏家。
台股新聞
濕製程設備大廠弘塑 (3131-TW) 今 (26) 日受邀參與櫃買中心業績發表會，執行長張鴻泰表示，受惠 AI 帶動 2.5D、3D 先進封裝、HBM 及面板級封裝需求快速升溫，客戶新廠與產能建置計畫持續推進，公司目前產能稼動已達 100% 至 120%，未來明、後年每年都會朝增加約 50% 產能的前進，才有辦法滿足客戶需求。
台股新聞
檢測設備廠倍利科 (7822-TW) 即將在 3 月下旬掛牌上市，展望今年，董事長林坤禧表示，受惠 AI、HPC 帶動先進封裝需求升溫，不僅晶圓廠擴大資本支出，封測廠也積極投入，預期今年營收將有雙位數成長，毛利率也將盡力維持去年水準。林坤禧指出，倍利科是以 AI 演算法為核心的高階半導體光學檢測與量測設備供應商，與傳統僅著重硬體組裝的設備商明顯不同。