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01-15台股新聞

矽光子技術突破 imec首度展示電激發式砷化鎵奈米脊雷射

比利時微電子研究中心 (imec) 今 (15) 日宣布在矽光子領域取得重大進展，成功展示電激發式砷化鎵 (GaAs) 基材的多重量子井奈米脊雷射二極體，該元件在其 CMOS 試驗原型產線於 12 吋矽晶圓上採用單一基板完整製造。imec 該研究登上《自然》期刊論文，描述其實現臨界電流低至 5 mA 且輸出功率超過 1 mW 的室溫連續波雷射技術，顯示了高品質三五族材料在矽材直接磊晶成長的發展潛力。