《華為動向》華為與製造商夥伴申專利,以較低技術製5納米晶片

　　《經濟通通訊社25日專訊》外電報道指,華為及其晶片製造夥伴申請一項先進半導體製造方法專利,雖技術含量較低,但能有效製造先進晶片,提高華為突破美國圍堵的可能性。

　　根據華為與新凱來兩家公司向中國知識產權局提交的專利文件,它們正在開發自對準四重成像技術(SAQP,self-aligned　quadruple　patterning),有助減少對高端光刻機的依賴,可能在沒有荷蘭ASML最先進極紫外線(EUV)光刻機的情況下,生產先進晶片。

*可避免使用EUV設備,製造5納米晶片*

　　國內晶片製造設備開發商新凱來技術有限公司屬華為的合作夥伴,該公司在去年底獲得一項關於SAQP的專利,通過採用深紫外光刻(DUV)、晶片製造設備和SAQP技術,來達到5納米製程晶片的某些技術門檻。此項技術可避免使用EUV設備,同時降低製造成本。

　　研究機構TechInsights認為,SAQP足以讓中國製造5納米晶片,但不能完全克服沒有EUV的技術問題,且單顆晶片的成本可能會高於行業標準。

　　報道又指,台積電等使用EUV機生產先進半導體,可以令產出較高,做到單顆晶片的成本最小化。如果華為及合作夥伴使用上述替代方法生產半導體,單顆晶片的成本可能會高於行業標

準。目前投入商業生產的最先進晶片採用3納米製程,中國只能夠生產7納米晶片,落後全球領先者兩代,若生產工藝推進到5納米,相當於僅落後一代。(ry)