美晶片法案設「護欄」 三星、SK海力士重新評估中國布局

美晶片法案設「護欄」 三星、SK海力士重新評估中國布局 (圖:AFP)
美晶片法案設「護欄」 三星、SK海力士重新評估中國布局 (圖:AFP)

美國晶片法案只待總統拜登簽字即完成立法,鑒於法案將設「護欄」條款禁止擴增在中國的先進晶片生產,南韓三星電子、SK 海力士正在重新評估中國投資案。

全名為「晶片和科學法案」包含撥款 520 億美元獎勵美國晶片生產,以及一些但書,若企業獲得獲得聯邦補助款的公司,10 年內不得在中國大幅擴增 28 奈米以下先進晶片的產量,違規且未能補救者,可能需要全額返還聯邦補貼。白宮先前已表示支持這類措施。

英國金融時報 (FT) 引述知情人士報導,這導致三星和海力士重新評估對中投資,以及在中國的行銷宣傳活動。

一名南韓資深官員表示,隨時間拉長,一些南韓業者可能「放棄」對中國的晶片產能投資,他還說,「如果中國不高興,得和美國磋商。」

為南韓政府提供半導體諮詢服務的 SK 證券分析部門主管 Kim Young Woo 說:「對中國設置護欄,將加速韓國晶片業者由中國轉向美國。美中科技戰之後,他們開始重新思考策略,現在因為地緣政治風險升高,更進一步轉向美國。」

Kim 說,三星和海力士將在美國興建更多工廠,因為他們無法在沒有美國設備和技術的情況下,大量生產先進晶片,「如果他們必須在美國和中國之間選邊站,他們將別無選擇轉向美國。」

三星電子將在德州投資 170 億美元設廠,以追趕台積電,美國總統拜登 5 月還曾拜訪三星平澤廠。SK 集團會長崔泰源日前也和拜登召開線上會議,宣布在美國造價 220 億美元的晶片、電池和綠能投資,包括興建一座先進晶圓封裝廠。

今年 5 月前仍擔任南韓產業通商資源部部長的呂漢辜 (Yeo Han-koo) 表示,南韓晶片業者已經展開針對美、中的「重新校準」。

根據 FT 報導,SK 海力士在中國無錫的 DRAM 廠,是美國「護欄」條款下最脆弱的環節。SK 海力士日前表示,公司正密切關注晶片補貼法相關的局勢發展。

首爾大學法學教授 Lee Jae-min 表示,美國以聯邦補助為誘因,一旦南韓業者領到美國補助,就得受到美國的控制,「三星和海力士這些晶片製造商都要定期升級才能製造先進晶片,但他們很難在沒有先進設備的情況下,更新中國的廠房。」


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