〈旺宏法說〉3D NAND研發告捷 將斥415億元擴廠、2023年量產

旺宏總經理盧志遠。(圖:旺宏提供)
旺宏總經理盧志遠。(圖:旺宏提供)

記憶體廠旺宏 (2337-TW) 今 (27) 日召開法說會,總經理盧志遠表示,3D NAND 研發有不錯的成果,48 層第四季將開出月產能約 5000 片,出貨給策略性客戶,也因研發進度佳,將啟動擴產計畫,預計投入 415 億元擴產 Fab 5B,生產 3D NAND 產品,新產能預計 2023 年貢獻營收。

旺宏 3D NAND Flash 研發進度符合預期, 4 月已將 48 層 3D NAND 送交客戶端認證。盧志遠表示,48 層初期將出貨給策略合作客戶,第四季將開出月產能約 5000 片,96 層 3D NAND 明年有機會量產,192 層預計最快 2023 年。

盧志遠表示,由於 3D NAND 研發有不錯的成果,董事會今日通過將進行擴產計畫,目前 Fab 5A 還有一倍的面積,將擴充為 Fab 5B,屆時五廠空間將填滿,資本支出預計投入 415 億元,快則 2 至 3 年完成支出,就層數來看,產能可較 5A 擴增一倍,但技術跳了兩個世代。

盧志遠指出,Fab 5B 預計明年第一季完成無塵室設施、開始裝機,但現在機器交期長,將與供應商討論交機時程,擴建計畫也會導入自動傳輸天車系統等;新產能預計 2022 年下半年開始投片,2023 年量產、貢獻營收。

盧志遠並說,後續可望將 48 層產能轉換為 96 層,但到了 192 層,投入的資本支出金額至少要上千億元。

被問及啟動擴廠計劃前,是否與客戶達成協議,盧志遠則說,策略性客戶是多年夥伴,客戶喜歡旺宏的產品,因此會朝這個方向努力,一切盡在不言中。


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