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創意發表採台積16奈米之低漏電流USB 3.1 PHY IP

鉅亨網新聞中心 2015-04-07 14:00


MoneyDJ新聞 2015-04-07 13:07:57 記者 新聞中心 報導

彈性客製化IC廠商創意(3443)今(7)日發表業界首創採用台積電(2330)16奈米FinFET+製程的低漏電流USB 3.1實體層IP(PHY IP)。創意此項全新IP預計將於6月15日推出。


創意指出,此16奈米USB 3.1 PHY IP通過矽驗證,支援USB 2.0、3.0及3.1通訊協定,目前可用於USB Type-C接頭,為針對資料傳輸及裝置充電功能所設計,其擁有超低功耗,適合智慧型手機,筆記型電腦和平板電腦等應用。此外,創意的USB 3.1 PHY並符合USB 3.1基本規格,資料傳輸率高達每秒10Gb,支援PRBS內建自我測試及多種回送模式,參考時脈頻率有20/25/40/50/100MHz可選。

創意並將於今日在美國加州聖荷西舉辦的台積電技術研討會(TSMC Technology Symposium)上展示USB 3.1 PHY,再搭配瑞薩(Renesas)的USB 3.1主機控制器,成為以16FF+為基礎的USB 3.1 PHY及控制器完整解決方案。

創意總裁賴俊豪表示,16奈米製程產品組合在加入USB 3.1 PHY IP之後,真正能為ASIC及設計社群提供多樣化的高階技術選項,將可滿足整個價值鏈日後每項尖端設計的需求。而瑞薩控制器與創意PHY能夠互通,兩者的結合勢將成為最高階的USB 3.1完整解決方案。

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