iPhone殺手將到？ 關於三星S7你不知的事

本文來自太平洋電腦網

如無意外的話，三星Galaxy S7將會在2016年第一季度發布，如果你認為如今的S6已經足夠強大，那麼即將到來的S7應該會讓你感到興奮，而隨如今時間已經步入2015年的尾聲，離三星Galaxy S7發布的時間越來越近，網上關於手機的信息也不斷增多，下面看看這段時間外界對S7的那些精彩報導。

微博用戶@科技新一曝光了某部未知手機的零件，並到“某還沒發布的旗艦手機面板，猜猜是哪款手機”。側面天線的佈局似是三星Galaxy S家族系列，要是這樣就是未發布的S7了，當然也不排除是其它手機，這方面網友也有爭議。

從圖中可以看到，手機的充電介面和3.5mm耳機插孔都設置在同一側，造型上看USB介面應該是Type-C，但整個面板似乎都大了一圈。

渲染團隊3DFuture設計了三星Galaxy S7 Edge的渲染圖，而且這並不是他們完全天馬行空所想象出來的，而是根據早前三星在美國申請的一個專利製作的。

不久之前美國專利商標局（USPTO）曾公佈了一份三星所申請的專利檔案，該檔案描述了一款外觀獨特的手機，該機的底部和頂部曲面設計，角度轉折明顯，從側面看上去像是一個“梯形”，如果這個專利成真的話，如無意外應該就是Galaxy S7 Edge了。

外媒放出了疑似三星Galaxy S7 Plus的渲染圖，據跟真機造型一模一樣。

知名爆料人@Onleaks 聯手曝光渲染圖的英國網站uswitch，在推特上放出了據稱是三星GALAXY S7 Plus的渲染圖。根據這幾張渲染圖我們可以看到，該機的Home鍵變成了長條形，同時SIM卡槽被移至機身的側面。

在性能上面，定位2016年上半年安卓機型機皇的三星Galaxy S7顯然不甘落后。根據業內人士@手機晶片達人透露，到“新的Galaxy S7主要用了高通的820 ，但也有用了三星自家的Exynos AP，一月就准備開始試了，新的S7比S6更薄！”。

高通820將會回歸高通的自主架構設計，其將是高通首款採用自主設計ARM 64位架構的晶片，搭載四個Kryo核心，主頻最高能達到2.2GHz，採用更加成熟的三星14nm FinFET LPP工藝生，功耗和發熱都能得到優化。高通820晶片上整合的是Adreno 530，全面支持OpenGL ES 3.1+ AEP、OpenCL 2.0 Full、Vulcan、RenderScript、64位虛擬定址DirectX 11.2、硬件曲面細分、幾何色器、可編程混合等等。

三星頂級晶片Exynos 8890採用14nm工藝，擁有八核物理核心，其中四個為三星自主架構Mongoose（貓鼬），而另外四個為Cortex A53核心。最新的品Exynos 8890在安兔兔當中的跑分成績高達103692分，表現不俗。另一方面，在Geekbench網站的紀錄當中成績6908，單核2294。

根據美國商標和專利局最新公佈的清單顯示，三星公司在11月27日獲得了名為“Duo Pixel”的設備或服務商標。此前曾有報導稱，Galaxy S7正在測試全新的1200萬像素1/2英寸相機感測器，而該感測器的像素尺寸要遠大於現有主流智能機相機尺寸，並將充分利用雙光電二極管技術。這項技術 和佳能的Dual Pixel CMOS AF感測器技術相似，就是在一個像素內放入2個光電二極管，對焦時相當於2個像素，實現感測器相位檢測對焦;成像時合併為一個像素，輸出成像信號。

總結

每一年的三星Galaxy S系列都會有一些創新的地方，引領同時期Android手機的發展（S6家族的拍照性能在今年與新iPhone的差距公認不分伯仲），也是每一代新iPhone都會面臨的最強對手，到底真機是怎麼樣，又會有什麼外界沒有預料到的黑科技？時間會告訴我們一切。