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32層3D NAND技術打底完成 紫光的下一個目標是?

鉅亨網新聞中心 2017-12-06 13:11

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紫光旗下的長江存儲研發出32層64G 3D NAND晶片,2018年將實現量產。(截圖自長江存儲官方網站)

中國証券網報導,紫光集團董事長趙偉國 4 日在烏鎮召開的第四屆世界互聯網大會的全球數位經濟論壇上表示,紫光集團 (000938-CN) 打造 具有自主技術的中國芯,靠的是網路、計算、存儲是互聯網、大數據、雲計算背後的三個非常重要的核心支撐要素,他並表示,存儲領域,紫光旗下的長江存儲已經研發出了 32 層 64G 的完全自主知識產權的 3D NAND 晶片,2018 年將實現量產

財經新報報導, 長江存儲技術公司是紫光集團收購武漢新芯部分股權後更名而來的。之後,邀請了華亞科 (3474-TW) 前董事長高啟全加盟,擔任全球執行副總裁的職務。2016 年 3 月,長江存儲啟動了武漢記憶體基地建設,總投資 240 億美元 (約新台幣 7,322.5 億元),預計 2018 年正式投產,而到了 2020 年時達成月產能 30 萬片的規模,將成為全球最大單一 NAND 晶片製造廠。

中國証券網 報導,趙偉國表示,紫光集團把企業發展的重點聚焦在積體電路,為中國互聯網產業提供基礎層的產品,為中國數位經濟大廈打好地基,讓中國的互聯網產業和數位經濟更加健康地發展。

資料顯示,紫光在晶片領域持續發力,先後收購了展訊和銳迪科,依托長江存儲布局存儲,並入股了台灣矽品 (2325-TW)、南茂 (8150-TW)(IMOS-US) 在中國大陸的子公司,具有了設計、製造、封裝等全產業鏈的布局,已經形成了較為完整的 IDM(垂直製造)積體電路巨頭的雛形。

21 世紀經濟過去曾報導, 趙偉國在中國年度管理大會上表示,2017 年全球晶片產值有 4000 億美金,中國進口超過 2500 億美金。他並提到,紫光集團在武漢、南京和成都布局存儲晶片的製造基地,是 3D Flash Memory。

在 11 月 24 日, 趙偉國透露,「我們剛剛研發出了 32 層的 64G 的存儲晶片。就是說 64G 是 640 億個存儲位,一個裏面有一個 0 和 1,比地球人還多了 10 倍。我們歷時兩年,研發經費有十幾億美金,明年真正樣產的大約應該是 64 層的 128G 的,估計還得再花上 20 億美金的研發經費。」

而根據中國半導體論壇報導,根據長江存儲先前揭露的計劃,32 層 3D NAND 主要是技術打底的動作,大陸真正視為主流的是 64 層 3D NAND 技術,這也是目前三星 (005930-KRX)、東芝 (6502-JP)、美光 (MU-US)、SK 海力士 (000660-KRX) 等 NAND Flash 大廠主流的技術。若大陸成功發展 64 層 3D NAND 技術,且全面大量投產,將有機會與三星、東芝、SK 海力士等拉近差距,同時也代表中國在 NAND Flash 晶片製造上能夠達到國際水平。






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