英特爾三星東芝聯手開發10納米芯片工藝

新浪科技訊 北京時間10月29日早間消息，據國外媒體報道，英特爾、東芝和三星電子將聯手開發新技術，在2016年前將芯片制造工藝提升到10納米級別。

據《日經新聞》報道，全球排名前兩位的nand閃存制造商三星電子和東芝將與最大的芯片廠商英特爾結成合作伙伴，并邀請大約10家半導體材料及其他領域的企業加入這一聯合體。