常憶科技搶進歐美日市場 Q4成長動能增 全年營收挑戰16億元

常憶科技總經理王筱瑜表示，未來將把0.18微米產品降低成本，擴大市佔率，並搶進歐美日市場。（鉅亨網記者張旭宏攝）

由元富證券主辦承銷IC設計公司常憶科技（3408-TW），為全球創新的p融合嵌入式快閃記憶體技術平臺 (pFusion) IC設計公司，訂於10月29日正式登錄興櫃交易。常憶科技總經理王筱瑜表示，未來將把0.18微米產品降低成本，擴大市佔率，並搶進歐美日市場，開發IDM客戶，2011年導入0.13微米及90奈米製程，擴大供給面及市場應用，2012年導入65奈米量產，跨足汽車電子市場，增加晶圓廠合作伙伴，成為世界為一全方位pFusion設計及服務公司。

常憶近2年來合併營收分別為2008年營收8.7億元、2009年6.4億元及2010年上半年營收7.3億元，每股稅後純益分別是0.21元、-0.01元及1.64元。2010年9月在訂單滿手的帶動下，業績依舊維持高檔，營收1.44億元，較去年同期成長108.51%，累計1-9月營收11.78億元，年增166.21%，續創歷史新高，法人表示，以目前成長動能估算，全年營收將超過16億元，每股稅後純益有機會戰3.5元。

常憶成立於1998年，為專業的NOR Flash IC設計公司，以快閃記憶體（Flash Memory）為主，主要提供智財權並授與晶圓代工廠及其他IC 設計公司，使用其全球獨創之pFusion技術。其產品廣泛應用範圍於手機、智能卡、觸控銀幕、智慧型家電、工業控制等各類前瞻新型產品，全球多家晶圓龍頭代工廠已通過驗證公司Fusion技術平臺並大量生產。

王筱瑜進一步表示，公司為全球首家以P型通道（P-Channel）為主軸之NOR Type Flash Design House。在這個領域中，本公司目前已擁有60幾件世界各國的專利，這些智慧財產權一直是自公司成立以來最重要的資產。而這些專利主要以含蓋P型通道快閃記憶體單元(Flash Memory Cell)、基本應用技術的機制(application mechanism)與設計方法(design method)。

常憶研發副總經理張有志表示，pFusion 的技術平台涵蓋所有嵌入式非揮發記憶體技術的範圍，從快閃記憶體Flash, EEPROM到多次性寫入記憶體MTP和一次性寫入記憶體OTP其應用涵蓋從低密度到高密度嵌入式的應用範圍。而其他競爭對手多只能提供部分的生產技術解決方案，尚無法提供如此完整的嵌入式非揮發記憶體生產技術解決方案。

常憶業務副總經理林政緯指出，常憶科技致力於研發高品質、高耐用度產品, 專注於各應用領域的前1、2名廠商，因為他們對品質及性能的要求均比其他廠商為高 而且當景氣上下起伏的同時也相較穩定. 當然公司也只做會贏的產品。

常憶未來將以其核心技術pFusion為主軸，導入0.13微米、90奈米及65奈米製程，提供極具競爭優勢的pFusion設計平台，供晶圓代工廠及設計能力優越的ASIC公司使用，並進一步成為國際知名的全方位NOR Flash IC 設計及服務公司，成長動能可以期待。