日經新聞：英特爾、東芝、三星將聯手開發10奈米製程

《日本經濟新聞》周五報導，英特爾(INTC-US)、東芝(6502-JP)與三星電子(005930-KR)三大晶片廠將聯手進行技術研發，目標是在2016年前將半導體製程推進到「接近」10奈米。

報導指出，分居全球第一、第二大NAND記憶體製造商的三星與東芝，準備將與英特爾組成策略聯盟，並另邀10家半導體材料與相關領域的業者來助陣。

日本政府也有意金援。據報載，日本經濟產業省(METI)可能會提供一半的研發基金，約50億日元(6121萬美元)，其餘則由業者自籌。

東芝和三星計畫利用新技術，來生產10奈米等級的NAND快閃記憶體與其它晶片；英特爾則可能藉此開發效能更強的微處理器。