惠普宣布與海力士合作開發新型內存

新浪科技訊 北京時間9月1日早間消息，據國外媒體報道，惠普周二宣布與韓國海力士半導體(hynix semiconductor)達成合作協議，共同研發下一代內存技術電阻式內存并將其推向市場。

據一份聲明顯示，兩家公司將合作開發新型材料和技術，實現電阻式內存(reram)技術的商業化。海力士將會采用由惠普實驗室研發出的新型元件憶阻器(memristor)。憶阻器相比現有的固態存儲技術能耗更低，速度更快，而且能在斷電時存儲數據。惠普今年春季稱表示，憶阻器也能夠執行邏輯。