日經：爾必達、夏普攜手研發ReRAM晶片 最快2013量產

《日本經濟新聞》周三報導，爾必達(Elpida)(6665-JP)與夏普(Sharp)(6753-JP)將合作研發下一代記憶晶片──ReRAM(可變電阻式記憶體)，預定2013年進入商業化生產。

ReRAM的優點在於消耗電力較低，且寫入資訊速度比NAND快閃記憶體快1萬倍。

據報載，內建ReRAM晶片的電子設備，將可在數秒內下載一部高畫質電影；而在待機模式下，電力消耗也趨近於零。

日本產業技術總合研究所、東京大學和其它晶片設備業者，也將加入爾必達與夏普的開發行列。

該晶片未來的商業化量產，可能由爾必達負責，時程最快在2013年。

其它競爭同業也在積極發展下一代記憶晶片技術。東芝(Toshiba)正在研發「多層結構」的新型態快閃記憶體；三星則在同時開發ReRAM、PRAM(相變化記憶體)與MRAM(磁電阻式隨機存取記憶體)晶片。